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  • 在工业测试、科研实验、电子元件老化等对电流输出稳定性与温度控制精度要求严苛的场景中,多路温控恒流源系统凭借 “1 路高精度恒流 + 3 路精准温控 + 1 路 Q 驱信号输出” 的一体化设计,成为兼顾性能与实用性的核心设备。系统以高稳定性、强抗干扰能力为基础,融合自适应负载调节、多模式运行保护功能,为用户提供从参数
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  • M26 是一款超小的四频 LCC 封装 GSM/GPRS 模块,尺寸仅为15.8 mm × 17.7 mm × 2.3 mm,最大限度地满足终端产品对小尺寸模块产品需求,有效帮助客户减小产品尺寸并优化产品成本。M26 采用更易于焊接的 LCC 封装,可通过标准 SMT 设备实现模块的快速生产,为客户提供高可靠性的连接方式,特别适合自动化、大规模、低成本的
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  • 应用于等离子体真空系统,具有高可靠性的电源产品性能该射频电源输出功率可达500W到1250W,频率13.56MHz,标准正弦波。该系列电源具有功率输出精度高、稳定、可重复等优点。电源采用大屏幕液晶显示:设定功率、入射功率、反射功率、状态等参数,同时还可以显示匹配器的运行参数并且通过电源面板可操作射频匹配器。应用对象
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  • 产品性能该射频电源采用E类放大器,实现效率高、高可靠性。大的冗余设计,使其具有长期满功率输出能力。特殊的滤波网络,实现波形的纯净。谐波性能优越,可承受开路、短路等极端冲击。大屏幕液晶显示:设定功率、入射功率、反射功率、状态等参数产品性能该电源可以作为射频驱动等离子体系统的电源。应用对象包括:刻蚀、PEC
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  • 产品性能匹配器系统采用高速匹配算法,当接近匹配点时,这种高速匹配算法会逐渐的减缓系统的速度,即使在“Q”值很高时也很容易找到匹配点。匹配器可以很快的将输入阻抗调整为50Ω,调整的准确性和可靠性可以很快的响应负载特性变化。应用对象该自动匹配器主要应用对象包括:刻蚀、ICP、光学镀膜、等离子清洗、等离子体增强
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  • 该电源通过特殊的射频隔离设计,将射频电源与自动匹配器集为一体,减少射频系统体积。输出功率300W,频率13.56MHz,标准正弦波。大屏幕液晶显示:设定功率、入射功率、反射功率、状态等参数。应用对象该电源可以作为射频驱动等离子体系统的电源。应用对象包括:磁控溅射、等离子清洗、PECVD等小型容性射频系统。
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  • 产品性能低频电源提供600W、1000W功率输出,频率范围350KHz-450KHz。机箱整体采用半机箱结构设计使其体积更小便于安装。设计采用固态设计使产品性价比更高、可靠性更强。应用对象该电源作为射频驱动等离子体系统的电源,主要应用于半导体领域。应用对象包括:刻蚀、PECVD、PVD等系统
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  • 产品性能40KHz中频电源提供一个40kHz的谐振开关模式的输出功率,具有增强的保护机制,其内部负载匹配输出可提供5KW到15kW。此组合单元不需要外部硬件,如变压器。电源可以单极输出和双极(浮动)输出,可在任意一边接地。40KHz中频电源采用水冷式设计并且提供严格的输出调节功率、电压或电流,测量精度可达到1%并具有低谐波
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  • 产品性能:该匹配器能够提供快速、准确和可靠的阻抗变换。可变电容由电机驱动,电机通过计算主板控制。采用高速的匹配算法,可以调节电机的转速,即使是高Q值的系统也能达到准确的匹配效果。通过调整内部继电器,调节不同档位,达到匹配。应用对象:该双频匹配器主要应用对象包括:刻蚀、PECVD系统
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  • 产品特点1.电源寄存能量低,内置电流限制和保护电路设计使设备免受浪涌和电弧的损害。2.通过输出极性转换,降低了夹盘上电荷的风险。3.短路和开路设计增加了设备的可靠性。4.突出的夹紧性能使本产品更适用于半导体晶片生产过程中。应用对象静电卡盘电源可为半导体晶片转移所使用的静电夹盘提供稳定的功率输出。
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  • 该射频电源整机功率密度高支持连续波、脉冲、多级脉冲的工作模式可自定义配置脉冲信号,响应速度快,信号质量高快速的信号响应时间,以及脉冲上升/下降时间支持高速、高精度的调频功能,扫频范围宽。内设多种保护机制,稳定性高应用特征该电源主要应用对象包括:刻蚀、ICP、光学镀膜、等离子清洗、等离子体增强、感应加热及P
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  • 产品性能:大功率电源是新一代射频电源发生器,单台输出功率可达30KW。产品广泛应用于LCD、光伏等行业。典型应用包括溅射、PECVD和表面处理产品特征:采用先进的功率发生器,输出功率高,稳定可靠;搭配12寸工业触控屏,方便控制于显示;自主研发的高功率电源匹配器,能实现快速匹配;具备电弧抑制功能,可以有效抑制负载产
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  • 产品特点完善的射频和离子源控制系统;快速达到放电稳定状态(10s以内);中和器快速稳定(3s以内);在导轨上移动,移动距离大于3米;法兰安装方便;配射频中和器。
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