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半导体参数测试系统IV+CV电性能分析仪
SPA-6100型半导体参数测试系统IV+CV电性能分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发
最后更新：2024-08-26
igbt模块测试设备+功率器件测试系统
普赛斯IGBT功率半导体器件静态参数测试解决方案普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。igbt模块测试设备+功率
最后更新：2024-07-26
半导体电性能测试数字源表
半导体电性能测试数字源表认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案；详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势：1、多功能测量需求下的广泛的适应性，电压高达300V
最后更新：2024-07-12
多功能脉冲源表脉冲IV测试仪
P系列多功能脉冲源表脉冲IV测试仪是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料
最后更新：2024-05-20
微电子器件材料电性能测试SMU数字源表
在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高端测试装备上下游产业链的垂直整合，晶圆级微电子
最后更新：2024-05-07
半导体分立器件静态测试设备
普赛斯半导体分立器件静态测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；图5:IGBT测试系统图 普赛斯IGBT功率器件静
最后更新：2024-04-15
半导体特性曲线测试仪IV扫描仪
半导体特性曲线测试仪IV扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案；详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势：1、多功能测量需求下的广泛的适应性，电压高达3
最后更新：2024-04-08
半导体参数分析仪CV+IV测试仪器
概述： SPA-6100半导体参数分析仪CV+IV测试仪器是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发
最后更新：2024-04-08
