产品价格 ￥1000.00元/台
最小起订量：1 台 可售数量：10000 台
系统方案
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。功率器件CV测试系统认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；
进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。
系统优势
高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；
内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能;
兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；
实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；
扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配；
基本参数
| LCR | |||||||
| 测试频率 | 10Hz-1MHz | ||||||
| 频率输出精确度 | ±0.01% | ||||||
| 基本准确度 | ±0.05% | ||||||
| AC测试信号准位 | 10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度) | ||||||
| DC测试信号准位 | 10mV至2V (1m Vrms 解析度) | ||||||
| 输出阻抗 | 100Ω | ||||||
| 量测范围 | |Z|, R, X | 0.001mΩ–99.999MΩ | |Y|, G, B | 0.1nS–99.999S | |||
| Cs、Cp | 0.01pF – 9.9999F | Ls Lp | 0.1nH–9.999kH | ||||
| D | 0.00001-9.9999 | Q | 0.1-9999.9 | ||||
| DCR | 0.001mΩ–9.999MΩ | Δ% | -9999%-999% | ||||
| θ | -180° -+180° |
|
| ||||
| SMU | |||||||
| VGS范围 | 0 - ±30V(选配) | ||||||
| IGSS/IGES | ≥10pA(选配) | ||||||
| VDS范围 | 0 - ±300V | 0 - ±1200V | 0 - ±2200V | 0 - ±3500V | |||
| IDSS/ICES | ≥10pA | ≥1nA | |||||
| 源测精度 | 0.03% | 0.1% | |||||
| 功能 | |||||||
| 测试方式 | 点测、图形扫描 | ||||||
| 测试参数 | DIODE:CJ、IR、VR MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES | ||||||
| 接口 | RS232、LAN | ||||||
| 编程协议 | SCPI、LabView | ||||||
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